Раздразнили, ахаха. Придётся самому спаять, нагрузить внешним 10-кОмником и посмотреть, что из этого получается
Такие элементарные схемы просто для удовлетворения любопытства уже давно не имеет смысла паять, есть же симуляторы. И вообще, конструктору, пусть и диайному, такие вещи желательно знать и понимать на интуитивном уровне. К тому, что написал
Bulldozerrr, могу добавить следующее: в этой схеме (ЭП) транзистор может только отдавать ток, т.е. макс. размах положительной полуволны будет равен +Vcc минус напряж. насыщения (десятки-сотни мВ) выбранного типа транзистора. Для отрицательной полуволны образуется делитель R_э/R_нагрузки, транзитор на пиках просто закрывается и размах "в минус" определяется этим делителем. Что тут паять?
Если хотите работать с такими тяжёлыми нагрузками (например, про-входы 10 кОм), а связываться с ОУ почему-то не хочется, то либо уменьшайте R_э (вырастет потребление!), либо ставьте вместо него источник тока. Второе лучше, т.к. аналогичная нагрузочная способность достигается при существенно меньшем токе потребления, плюс к этому, снизятся искажения.