Имхо, это все софистика. Делал три устройства по этой схеме. Везде индуктивности по нч без зазора. Никаких проблем. Да и у динамика, думается, тоже все меняется от уровня. Да и далеко не вся энергия будет в индуктивности. В общем, исходя из реальной практики, я сильно сомневаюсь, что индуктивность там в насыщение влетит. У KMG индуктивности тоже не сильно габаритные.
По мне, точная индуктивность там нужна, иначе частота резонанса будет сильно уходить вниз, и толку от нее будет не много.
Понятно, что и у динамика она тоже меняется, но там зависимость от смешения катушки в зазоре, т.е. изменение 2 раза в период
. Плюс изменение не в 5-10 раз, как меняется проницаемость железа без зазора...
На катушке на частоте резонанса полное напряжение выхода (почти полное), так что в насыщение она вполне может влететь.
Особо крупный габарит не нужен, если делать на феррите, то можно прикинуть, какой подойдет... например:
берем крупный RM-core, т.е. RM10
https://www.tdk-electronics.tdk.com/inf/80/db/fer/rm_10.pdfУ материала N48 (хорош для индуктивностей) есть два варианта с зазором, с Al=400nH и Al=630nH
Считаем для 5 Ватт выхода (это 6.33В на 8 Ом) :
для материала 630nH нужно 126 витков. (корень из 10.000uH/0.63uH).
для 400nH нужно 158 витков, индукция выходит 0.9Т (на 100Гц ) - для материала с зазором это должно хватить.
т.е. смело берем RM10 N48 Al=400nH,без центральной гайки, мотаем 158 витков и фффсё! Ничего измерять, подгонять не нужно. Индуктивность будет +/- 3% от заданной, и главное стабильной с уровнем.
Для 5Ватт достаточно ферритика 2.5х2.5х1.8 см !!!
... и добавил:Если делать хорошо, то лучше взять RM12 (это 3х3х2.5см) с Al=250nH (больше зазор)
200 витков и индукция выходит 0.48Т